La DLTS (de l'anglais "deep level transient spectroscopy") est une technique puissante de mesure de la concentration des porteurs de défauts ainsi que leur énergie de liaison dans les matériaux semi-conducteurs. La technique consiste à mesurer les transitoires de capacité à différentes températures. La jonction semi-conductrice est d'abord polarisée en inverse pour épuiser la majeure partie des porteurs de charge mobiles ; ensuite, comme la tension de polarisation inverse est brièvement mise à zéro par une impulsion de tension positive, les pièges vides sont remplis. Après l'impulsion de tension positive, la jonction est à nouveau polarisée en inverse : des charges sont progressivement émises et provoquent une modification de la capacité.
Les transitoires de capacité peuvent être mesurés avec l'analyseur d'impédance MFIA sur un long intervalle de temps et avec une haute résolution temporelle pour capturer un transitoire complet.
Le MFIA peut mesurer un transitoire de capacité à des fréquences allant de 1 mHz à 5 MHz sur une échelle de temps de 10 us (à 1 MHz). Le module d'acquisition de données (DAQ) de LabOne® peut être déclenché soit par un générateur d'impulsions externe, soit par une impulsion de polarisation générée en interne. Avec le module DAQ, l'ensemble du transitoire peut être capturé de manière fiable à une résolution temporelle élevée et pour des fenêtres à long terme, y compris l'état stable avant l'événement déclencheur (grâce à la mémoire interne).
La détection synchrone à double canal inclue avec le MFIA permet de capturer le transitoire de courant en même temps que le transitoire de capacité. Cela peut être réalisé sur une échelle de temps plus courte que pour les mesures de capacité, mais n'inclut pas d'informations sur la capacité absolue.
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